接觸式測厚儀TOF-4R05在半導體芯片薄膜上的運用

發(fā)布日期：2024-07-01      瀏覽次數(shù)：454

接觸式測厚儀TOF-4R05在半導體芯片薄膜上的運用

在半導體制造業(yè)中，薄膜的厚度對器件的性能和質(zhì)量有重要影響。在制造過程中，晶圓要進行多次各種材質(zhì)的薄膜沉積，因此薄膜的厚度及其性質(zhì)（如折射率和消光系數(shù)）需要準確地確定，以確保每一道工藝均滿足設(shè)計規(guī)定。

光學薄膜測量設(shè)備的光譜測量方式主要分為橢圓偏振和垂直反射兩種。在橢圓偏振方式下，光源發(fā)出的光經(jīng)由起偏器、光學聚焦系統(tǒng)，以一定的角度入射圓片，經(jīng)過表面膜層和硅襯底反射的光學系統(tǒng)和起偏器，由光譜儀接受。通過對膜厚和薄膜光學常數(shù)等變量進行回歸迭代逼近，使計算光譜和實測光譜吻合，最終所得到的迭代值即為所測薄膜的厚度和光學常數(shù)。






模型	TOF-4R05
測量方法	接觸式/線性規(guī)/夾緊方式
測量目標	薄膜、片材
測量原理	線性規(guī)/夾緊法

產(chǎn)品特點

• 輕松快速的離線厚度測量

• 測量數(shù)據(jù)實時顯示在屏幕上

• 測量數(shù)據(jù)還可以自動保存到您的計算機中。

• 由于測量是自動進行的，因此測量數(shù)據(jù)不存在個體差異。

• 雷達圖也可用于調(diào)整吹塑薄膜。

• 由于采用夾層法進行測量，因此即使是有卷曲等的厚紙也可以測量。

產(chǎn)品規(guī)格

測量厚度	0.03～3mm
測量長度	10～10000mm
測量間距	1毫米~
最小顯示值	0.5微米
測量壓力	0.6±0.1N
電源電壓	AC100~240V 50/60Hz
工作溫度限制	5～40℃
濕度	35-80%（無冷凝）
能量消耗	50 VA（不包括電腦）
選項	?卷紙打印機輸出功能 ?0.1mm間距測量功能 ?連續(xù)測量功能 ?各專用探頭 ?圖像轉(zhuǎn)印功能 ?壓紙機構(gòu) ?輸送速度顯示